N-Channel MOSFET
SFI50N03AT 采用穩先微電子先進的高密度溝槽技術制造,低導通電阻,高雪崩擊穿耐量,可廣泛應用于電工工具,鋰電保護,PD快充和直流無刷電機等應用。
30V, 50A
RDS(ON) = 4.7mΩ (Max.) @ VGS = 10V
RDS(ON) = 10mΩ (Max.) @ VGS = 4.5V
低導通電阻
低柵電荷
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SFI50N03AT_EN_A2.pdf