N-Channel MOSFET
SFG60N03AT 采用穩先微電子先進的高密度溝槽技術制造,低導通電阻,高雪崩擊穿耐量,可廣泛應用于電工工具,鋰電保護,PD快充和直流無刷電機等應用。
30V, 60A
RDS(ON) =4.8mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 30A
低柵極電荷
SFG60N03AT_EN_A0.pdf